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电子元器件详细资料 » IC[28677] » SI2312BDS-T1-GE3
型号:SI2312BDS-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3描述:MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
系列-
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C3.9A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C31 毫欧 @ 5A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222850mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs12nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大750mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳市向鸿伟业电子有限公司李先生0755-82561519
深圳市科思奇电子科技有限公司林小姐/朱先生0755-83245050/82785939
深圳市集创讯科技有限公司吴小姐0755-83244680/82865294
深圳市芯福林电子科技有限公司张女士0755-82574045
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
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深圳市恒达亿科技有限公司夏先生 朱小姐086-0755-82723761/82772189
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SI2312BDS-T1-GE3相关型号

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